线膨胀系数测量，胶热阻测试

热阻的研究对于延长IGBT的使用寿命和提高其应用可靠性具有重要的现实意义，目前获取IGBT热阻参数的试验方法多为热敏参数法，该方法方便简洁、对硬件要求低，但是传统的热敏参数法需要测量器件的壳温，而IGBT器件由于封装尺寸远大于芯片尺寸，所以壳温不易准确测量，测量过程中引入的误差较多，终无法得到器件真正的热阻值。

与传统测试方法相比，JESD51-14热阻瞬态双界面测试法具有更高的准确性和重现性，而T3ster是目前全球唯一满足此测试标准的仪器。使用T3ster对IGBT器件进行测试，可以记录模块结温瞬态变化过程，能得到稳态的结壳热阻数据，也能得到结温随时间变化的瞬态曲线，还可以通过结构函数分析器件热传导路径上各层结构的热阻值。