半导体试验测试机构，电器老化测试标准

半导体试验测试机构，电器老化测试标准

GaN驱动电路测试难点 – VGS (Gate-to-Source Voltage)：由于GaN功率器件具有高共模电压和高速的开关频率，在进行VGS测试时，为了能够准确测量存在于高共模电压下的差分电压，俗称上管测试。需要示波器探头有非常好的CMRR（共模抑制比）能力，同时需要测试探头具有较高的带宽以保证上升时间的测量要求。隔离探头在上述两方面有着不错的表现，但问题在于其高昂的价格（*低带宽200 MHz型号售价15万人民币以上），相较于高压差分探头其测量结果的提升远远不如价格差异明显。而且售价高昂的探头意味着一旦损坏其维修费用恐怕也会很惊人。

当然，任何一项技术的推出，在市场化应用的初期，成本是绕不开的话题。电力电子工程师想要两者兼得，既期望满足在电子测试中确保**的性能和一致性结果，也希望测试成本不再成为负担。

那么是否有一种解决方案，既能够对GaN功率器件进行有效测试，

又能够兼具性价比呢?

答案是肯定的！

罗德与施瓦茨的示波器具有高分辨率和低噪声，而针对现代功率电子的复杂测试需求而设计高压差分探头在整个频率范围内具有出色的共模抑制性能，二者结合使用，有助于电源转换器设计人员：

罗德与施瓦茨提供多达四种不同带宽，不同电压范围的电压差分探头，满足不同测试应用需求。

◾ 共模抑制比高，****，工程师不用担心购买成本，使用成本及维修成本；

◾ 使用方便，探头无需额外供电，自动识别衰减比例，同时显示共模/差模电压值；

◾ 噪声低至15mV，提供更干净的测试环境；

◾ 配合同价位唯一提供硬件10 bit ADC的示波器主机，完美组合。

下面我们来看看实测照片

RT-ZHD16上管测试，DUT为GaN 65 W快充头