半导体元器件测试，特氟龙盐雾试验

半导体元器件测试，特氟龙盐雾试验

我们先看传统差分探头和IsoVu光隔离探头测试相同高压侧Vgs信号效果对比。如下图所示，灰色的波形是传统差分探头测试的效果，红色的波形是泰克TIVP光隔离探头测试的效果，能真实反馈高压侧Vgs的驱动波形，真实呈现工程师想了解的驱动波形，不用再依赖经验或者猜测。

新的Tektronix IsoVu™Generation 2探头提供了无与伦比的带宽、动态范围、共模抑制以及多功能MMCX连接器的组合，为上管Vgs测量设置了新的标准，设计者终于能看到以前隐藏的信号特征，再一次引领了高压隔离探头的技术革新。

使用传统差分探头几乎不可能在高速不接地系统上进行准确的测量。由于涉及更高的频率和开关速度，使用SiC和GaN等宽禁带技术的工程师面临准确测量和表征器件的巨大挑战。通过将探头与示波器的电流隔开，IsoVu探头完全改变了功率研究人员和设计人员进行宽禁带功率测量的方式。

“第一代产品面世时，IsoVu探头对我们的客户来说代表着真正的突破，因为他们可以真正了解半桥设计高侧的性能，消除重大的盲点。”泰克科技主流解决方案总经理Suchi Srinivasan说，“这次在第二代IsoVu中，将有更广泛的客户能够获得这种**隔离测量技术，完成产品级研发、验证和EMI故障排除等任务。”

“IsoVu技术对于支持客户在设计中采用我们的功率转换技术至关重要。”Cree科锐旗下企业Wolfspeed全球汽车现场应用工程师主管Cam Pham说，“由于电流隔离功能，IsoVu技术使我们及我们的客户能够满怀信心地准确地表征高侧事件。”

我们来看看第二代光隔离探头和第一代IsoVu探头对比，下图显示由于低压侧开关、高压侧门级和开关节点之间的寄生耦合，低压侧开关有振铃现象。再次，将IsoVu第一代的结果(左边)与第二代IsoVu的结果进行比较。右边的截图显示了第二代IsoVu的性能如何比IsoVu第一代的性能有了很大的改善。IsoVu Gen 2提供更详细，准确。