芯片老化试验，颗粒物清洁度测试

芯片老化试验，颗粒物清洁度测试

在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis，写程序很麻烦。

CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，另一个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。简单的一个例子，碰到大电流测试项CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。

应该说WAT的测试项和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）测的！

而CP的项目是从属于FT的（也就是说CP测的只会比FT少），项目完全一样的；不同的是卡的SPEC而已；因为封装都会导致参数漂移，所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保终成品FT良率。还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die，在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款，这是解决相似电路节省光刻版的佳方案；所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才会盲封的。

据我所知盲封的DH很少很少，风险实在太大，不容易受控。

CP 一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要FT的。不过bumpwafer是在装上锡球，probing后就没有FT

FT是在封装之后，也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。

CP用prober，probe card。FT是handler，socket

CP比较常见的是roomtemperature=25度，FT可能一般就是75或90度

CP没有QA buy-off（质量认证、验收），FT有

CP两方面

监控工艺，所以呢，觉得probe实际属于FAB范畴

控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修复，有利于控制成本

终测通常是测试项多的测试了，有些客户还要求3温测试，成本也大。

至于测试项呢，如果测试时间很长，CP和FT又都可以测，像trim项，加在probe能显著降低时间成本，当然也要看客户要求。

关于大电流测试呢，FT多些，但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet，一个PAD上十多个needle。

有些PAD会封装到device内部，在FT是看不到的，所以有些测试项只能在CP直接测，像功率管的GATE端漏电流测试Igss

CP测试主要是挑坏die，修补die，然后保证die在基本的spec内，functionwell。

FT测试主要是package完成后，保证die在严格的spec内能够function。

CP的难点在于，如何在短的时间内挑出坏die，修补die。

FT的难点在于，如何在短的时间内，保证出厂的Unit能够完成全部的Function。

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