电子元器件电应力失效分析，元器件失效分析公司

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失效分析基本概念

定义：对失效电子元器件进行诊断过程。

1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。

2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。

3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。

4、失效机理是指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。

失效分析的一般程序

1、收集现场场数据

2、电测并确定失效模式

3、非破坏检查

4、打开封装

5、镜验

6、通电并进行失效定位

7、对失效部位进行物理、化学分析，确定失效机理。

8、综合分析，确定失效原因，提出纠正措施。

元器件失效影响因素：

元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。

温度导致失效，环境温度是导致元件失效的重要因素。

温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感，当P-N结反向偏置时，由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响。

ICQ―――温度T0C时的反向漏电流ICQR――温度TR℃时的反向漏电流T－TR――温度变化的值

由上式可以看出，温度每升高10℃，ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化，动态范围变小。

由于P-N结的正向压降受温度的影响较大，所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件（TTL、HTL等集成电路）的电压传输特性和抗干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时，P-N结的正向压降减小，其开门和关门电平都将减小，这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变小；高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大，造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调，甚至热击穿。

温度变化对电阻的影响

温度变化对电阻的影响主要是温度升高时，电阻的热噪声增加，阻值偏离标称值，允许耗散概率下降等。

但我们也可以利用电阻的这一特性，比如，有经过特殊设计的一类电阻：PTC（正温度系数热敏电阻）和NTC（负温度系数热敏电阻），它们的阻值受温度的影响很大。

对于PTC，当其温度升高到某一阈值时，其电阻值会急剧增大。利用这一特性，可将其用在电路板的过流保护电路中，当由于某种故障造成通过它的电流增加到其阈值电流后，PTC的温度急剧升高，同时，其电阻值变大，限制通过它的电流，达到对电路的保护。而故障排除后，通过它的电流减小，PTC的温度恢复正常，同时，其电阻值也恢复到其正常值。

对于NTC，它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。

温度变化对电容的影响

温度变化将引起电容的到介质损耗变化，从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时，电容器的寿命就降低50％，同时还引起阻容时间常数变化，甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。

此外，温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。