体积电阻率的测定，击穿电压测试检测

将A/T，A为吸收率值，T为透射率值，通过分析R、T和A，在吸收率足够高以抑制干扰效应时达到尺度。

我们将相对光谱A/T纳入尺度E0，光谱的吸收率足以抑制薄膜中的多次反射（例如T= 0.05)，因此，T和R的值几乎没有干涉条纹（见图7)。

对于a-sI：H，入射光时，反射率R为R= 0.41，对于入射在衬底侧的光，反射率R为R=0.26。我们将该值与T= 0.05一起计算参考点E0，A=1TR的吸收值，给出光入射薄膜时的A=为0.54，衬底侧的A=为0.69。因此，参考点E0处的A/T对于入射到薄膜侧的光等于10.8，对于基底侧等于13.8。

图12

图12：使用RITTeR-WeIseR公式校准到其值的a-sI：H样品的吸收系数光谱示例。测量由FTIR光谱仪完成，使用两个探测器和一个滤光片，高通超过746 nm。