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半导体测试化验机构,电老化试验

半导体测试化验机构,电老化试验

当前,GaN技术仍在不断发展,势头非常迅猛,在快充市场里众多手机厂商在积极入局,其中华为、小米、OPPO、realme、三星、努比亚、魅族等知名手机企业已经先后发布和推出了基于手机、笔记本电脑快充的GaN充电器,而中国本土厂商也有英诺赛科这样的厂商在提供GaN芯片。

许多功率设计人员正积极转向宽禁带半导体器件的测试,以便优化器件的效率增益、降低损耗和避免击穿。高分辨率、低噪声的R&S示波器与R&S高压差分探头的搭配方案,将*大程度地提高电源转换器的性能和效率,满足**功率电子应用中的严苛测试需求,完成对GaN等宽禁带半导体器件测试的可靠性、安全性和性价比的多重考虑。

同时,在嵌入式电源、电源转换或电机驱动型电子设备领域,罗德与施瓦茨的功率电子测试解决方案可确保**的性能和一致性结果,并提供所需信息以推动产品设计上市。


噪声电压低于80 mV(RT-ZHD16,200 MHz)


快速上升时间实现快速瞬态(如12 ns)的测量而没有过冲


低零漂移,无需预热,且改变探头输入范围也没有影响


罗德与施瓦茨 GaN半导体器件测试方案推荐

R&S® RTM3000/RTA4000 + R&S® RT-ZHD


◾ 100 MHz – 1 GHz带宽(可升级)

◾ 5 GS/s采样率

◾ 硬件10 bit ADC

◾ 500 μV/div全带宽硬件放大

◾ 标配80 M/1000 M存储深度

◾ 10.1寸电容触摸屏


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