半导体器件测试，cass盐雾试验中心

我们再来看看第二代光隔离探头和第一代IsoVu探头对比。下图显示由于低压侧开关、高压侧门级和开关节点之间的寄生耦合，低压侧开关有振铃现象。将IsoVu第一代的结果(左边)与第二代IsoVu的结果进行比较，右边的截图显示了第二代更加详细、准确，比第一代的性能有了很大改善。

与第一代产品一样，*新IsoVu第二代探头采用已获专利的光电技术来捕获信号并为探头供电，且不需要电气连接示波器。与传统高压差分探头相比，IsoVu探头以****的方式同时提供了高带宽、宽动态范围，并在探头整个带宽上实现了同类***的共模抑制比(CMRR)。非隔离探头的CMRR额定值会随着频率提高迅速下降，所以不可能进行更高频率的测量。使用光缆还可以支持长电缆，大大提高探头抗EMI能力。

在第一代IsoVu系列基础上，IsoVu第二代探头进行了大量的升级和增强，包括：

更小的尺寸——TIVP系列探头的体积大约是第一代探头的五分之一，可以更简便地接入以前不可能接入的难达测量点。此外，原来单独的控制器盒已经精简，现在自含在探头的补偿盒内部。

更高的灵敏度——新探头更加灵敏，在+/- 50V测量时噪声更低，在宽带隙测量中具有更高的可见度和电压灵敏度。

更高的精度——新探头在许多方面增强了准确度，包括改善了DC准确度，在全部输入范围上加强了增益准确度，改善了温度漂移校正功能。这些增强功能可以更加深入地表征宽带隙设计特点，提高了能效。

更少的针尖更换——传感器头上的动态范围更广，与IsoVu Gen 1相比，相同的电压范围所需的针尖更少。这缩短了执行器件测试所需的时间，消除了更换探头时可能发生的错误，也降低了客户的成本。