半导体测试，高低温湿热交变试验室

第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新，基于其高速，小体积，低功耗的特点，越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。下图显示了不同技术的功率器件的性能区别。可以看到，传统的Si基IGBT或者MOSFET管要么分布在高压低速的区间，要么分布在低压高速的区间，市面上传统的探测技术可以覆盖器件特性的测试需求。但是第三代半导体器件SiC 或GaN的技术却大大扩展了分布的区间，覆盖以往没有出现过的高压高速区域，这就对器件的测试工具提出非常严苛的挑战。

今年在国家发布的新基建中，5G通讯电源、新能源逆变器和电动汽车驱动等领域，SiC和GaN器件将得到越来越广泛的应用，这给工程师进行电源转换器产品设计带来更多的机遇，也带来了全新的设计挑战。本文将和大家探讨当下的行业现状以及如何攻克测试难题。

目前很多工程师在桥式电路设计中都是以低压侧开关特性来评价器件及设计驱动电路，因为有“接地”参考，似乎只要带宽满足，电压范围满足就可以了，但是事实上很多人忽略了其实高压侧和低压侧在驱动和特性本身并不是相同的，不能通过下管测试推算上管测试，但是为什么工程师不真正来测试高压侧Vgs呢？主要是因为目前没有合适的探头和方法能测试准确高压侧驱动信号，它会受到带宽限制，共模抑制比的限制，信号干扰等影响，所以只能用推测或者仿真等方式来预估，很大程度上增加了产品设计的不确定性，甚至存在很大安全隐患。

泰克作为测试仪器及方案的提供商，为了解决工程师的困扰，打造了全新的IsoVu光隔离探头来完成相关的测试挑战。