caf失效分析测试，304的盐雾试验

caf失效分析测试，304的盐雾试验

短路

(暗电流增大) ESD 确认芯片漏电流是否增大；

使用光辐射显微镜(EMM)可确认漏电位置；

离子迁移分析；

EOS

银离子迁移

CMOS闩锁效应（VDD≥Vh）

间歇短路 CMOS闩锁效应（VDD＜Vh） ——

系统错误 老化（浴盆曲线后端）（趋于劣化） ——

制造工艺（趋于劣化）

复位 EMC干扰 示波器抓取MCU复位引脚信号；

调试器查看复位标志位等信息；

NTC 开路 持续过电压/过电流 万用表阻抗测试

阻值增大 持续过电压/过电流 万用表阻抗测试

短路 长时浪涌电流引起异常温升，阻值下降导致电流进一步增大，恶性循环，终导致焊接融化、线融化、电极扩散、NTC元件本体发红发热、融化、烧蚀。 万用表阻抗测试

阻值突然下降 短时浪涌电流引起异常温升 示波器抓取电压波形

绝缘异常 耐压击穿； 绝缘电阻测试；

耐压测试；

目视检查；

生产缺陷；

线束/连接器 PIN开路、接触阻抗增大、接触不良 母端扩孔不良（弹片变形，接触劣化）； 万用表阻抗测试；

剖面分析；

电压降测试(测试接触电阻)；

X-Ray；

线束压接不良（压接处线束绝缘皮未剥开，接触劣化）； 瞬断测试设备；

公端退PIN； 放大镜检查

端子内有非金属异物； 放大镜检查；

X-Ray;

线束断开； 万用表测试线束是否导通

卡扣尺寸不良致接触劣化； 万用表阻抗测试；

剖面分析；

电压降测试(测试接触电阻)；

X-Ray；

氧化； 放大镜观察；

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