d8反射率测试，树脂熔点测试

利用FTIR光谱仪测量半导体材料的吸收系数

当具有两个共面电极的半导体被连续偏置电压偏振，并且暴露于具有图8所示的连续通量强度的单色光时，对于给定的深度x，光电流的产生可以描述为：

方程1

其中，E为电极之间施加的电场，l为电极的长度，σph为光导率，可以描述为：

方程2

其中q是电子电荷的值，μn和μp分别是电子和空穴的迁移率。在光的作用下产生的过剩电子和空穴被描述为Δn和Δp。