折光率测定国标，电桥法测量阻抗

一硅氢薄膜光学参数测定的实例

我们使用FTIR光谱仪对三种a-sI：H薄膜进行了R/T测量。采用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD）技术将薄膜沉积在玻璃上。沉积温度设置为175∘c，硅烷流量为20 sccm，沉积压力为120 mToRR。

电极间的距离设置为17 mm，射频功率为17mW/cm2。在这些沉积参数下，沉积速率约为0.7a/s。样品1604211、1604212和1604213的沉积时间分别为1h30、1h和30mIn。

R/T测量结果如图4所示，这些测量结果显示了经典的a-sI：H薄膜的R/T结果。从R/T结果中可以看出，样品1604211比其他两个样品产生更多的干涉条纹，而样品1604213的干涉条纹数量Zui少。在Zui常用的使用方式中，可以利用R/T测量结果中的干涉条纹图案结合样品的折射率来识别样品的厚度。