薄膜电容器失效分析，钣金盐雾试验

光耦 LED漏电 ESD； 使用光辐射显微镜(EMM)可确认漏电位置；

扫描电子显微镜观察；

EOS；

芯片表面存在导电物质；

LED短路 ESD； 使用光辐射显微镜(EMM)可确认漏电位置；

扫描电子显微镜观察；

EOS；

芯片表面存在导电物质；

LED开路 键合不良； X-Ray；

CT；

EOS导致键合丝烧断；

芯片银浆粘接不良；

MOS开路或阻值增大 EOS导致键合丝或金属丝烧断； X-Ray；

CT；

键合不良；

芯片表面离子玷污或有机胶中含氯离子导致键合点或铝布线腐蚀脱开；

MOS阻值减小 EOS烧毁； 光辐射显微镜(EMM)检查；

扫描电子显微镜观察；

芯片粘接银浆污染芯片表面；

光路传输不畅 导光胶开裂分层； X-Ray；

CT；

腐蚀性氯离子在表面产生腐蚀开路；

绝缘异常 腐蚀性氯离子在表面产生腐蚀漏电； 绝缘检测；

变压器 开路 输入电压过高或变压器磁饱和点设计余量不足导致变压器磁饱和、初级电流猛增、线圈过热烧毁； X-Ray；

CT；

漆包线腐蚀；

短路 （初级-次级同轴绕制）漆包线破损 X-Ray；

CT；

绝缘检测；

绝缘异常 （初级-次级同轴绕制）漆包线破损

IC 开路 爆米花效应（塑封内水分高温受热膨胀，塑封料与金属框架和芯片间分层，拉断键合丝。）； X-Ray;

CT；

声学扫面检测；

光学显微镜检测；

键合点生成金铝化合物致键合强度降低、开裂脱落；

柯肯德尔效应（金铝键合时热压焊工艺由于高温金向铝迅速扩散，在金层一侧留下部分原子空隙，这些原子空隙自发聚集在化合物与金属交界面形成空洞，达到一定程度键合强度急剧下降，接触电阻增大，终导致开路失效。）；

金属化电迁移（外电场作用下，导电电子和金属离子间相互碰撞，电子风使金属离子与电子流一起移动，正极端形成离子堆积小丘，负极端产生空洞，终导致金属断开。）；

间歇开路 爆米花效应 X-Ray;

CT；

声学扫面检测；

光学显微镜检测；

柯肯德尔效应

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