半导体先进测试，电线热老化试验

半导体先进测试，电线热老化试验

测量金属屏蔽层电阻和导体电阻比

(1)试验目的

测量金属屏蔽层电阻和导体电阻可以监视其受腐蚀变化情况，测量电阻比可以消除温度对直流电阻测量的影响。

(2)试验周期

交接试验

(3)试验方法

用双臂电桥测量在相同温度下的金属屏蔽层和导体的直流电阻。

(4)试验判断

与投运前的测量数据相比较不应有较大的变化。当前者与后者之比与投运前相比增加时，表明屏蔽层的直流电阻增大，铜屏蔽层有可能被腐蚀；当该比值与投运前相比减少时，表明附件中的导体连接点的接触电阻有增大的可能。

3.6 交叉互联系统试验

(1)交叉互联系统示意图

(2)交叉互联效果及构成