mlcc漏电失效分析，铜加速乙酸盐雾试验

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要的失效的原因和定义

主要的失效原因是物理与化学的过程，可能是设计上的弱点或者是制造工艺中形成的潜在缺陷，在某种应力作用下发生失效。

1.机械损伤

机械损伤在电子元件制备电极及电极系统工艺中经常出现，如果在成品中，存在金属膜划伤缺陷而未被剔除，则划伤缺陷将是元器件潜在的失效因素，必将影响器件的长期可靠性。

2.结穿刺

结穿刺是指PN结界面处于一导电物所穿透，结穿刺通常导致PN结短路失效。

3.金属化电迁移

当元件在工作时，在电流的作用下，金属离子沿导体移动，导体内部某一部位出现空洞，这就是电迁移，产生电迁移的内在因素为薄膜导体内部结构的非均匀化，外部因素为电流密度。

4.表面离子沾污

电子元件在制造过程和使用过程中，因芯片表面沾污了湿气和导电物质，或由于辐射电离，静电荷积累等因素影响，在器件内部氧化层表面产生正离子和负离子，在偏压的作用下能沿表面移动，正离子聚集在负电极周围，负离子聚集在正电极周围，沾污严重时足以使芯片发生改变，引起表面漏电，击穿，表面离子沾污还会引起金属腐蚀，使的电极和封装系统发生生锈、断裂。

5.银迁移

在电子元件储存过程及使用中，空气中存在湿气，水分，导致其相对活泼的金属银离子发生迁移，导致短路，耐压劣化，绝缘性能变差等失效。

6.过电应力

电子元件在其参数指标中设定了使用时所承载的大应力，包括高环境温度，大额定功率，大工作电压、电流、峰值电压、大输入、输出电流/电压等，如果在使用过程中，所加的电应力超过元件的大应力，即使是瞬间通过，也会对元件造成损伤，一般过电应力分为过电压和过电流两种，在过电应力作用下，电子元件局部形成热点，当温度达到材料熔点时，会造成材料熔化，形成开路或者短路，导致元件失效。

7.静电损伤

静电失效分为两种，潜在性失效和突发性失效，潜在性失效是指静电的放电能量比较低，仅仅局限于元件内部轻微损伤，放电后元件参数变化不大，但元件的抗过电压能力已经下降，使用寿命缩短，经过一段工作时间后就会再次出现失效，而突发性失效是指元件在静电放电损伤后，突然出现开路、短路或者参数漂移，这类表现明显，也比较容易被发现。

对于电子材料来讲，静电分为过电压场和过电流热，过电压场指的是高阻抗的静电放电回路中，绝缘介质两端电极受到高静电放电电荷而呈现高电压，有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场，使得电极之间介质发生击穿失效，过电压场失效多发于MOS元器件以及双极性电路和混合电路。过电流热失效指的是在较低阻抗的放电回路中，由于静电放电电流过大，使局部区域温度温升超过材料熔点温度，导致材料发生局部熔融是元器件失效，过电流热致失效多发生在双极性元件，包括输入用PN结保护的MOS电路，肖特基二极管以及含有双极性元件的混合电路。