tc200可靠性测试，沉镍金产品耐盐雾测试

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 失效率与环境系数不成正比的元器件， 以半导体集成电路为主

a) 基本信息：

半导体集成电路的质量等级； 半导体集成电路的总量； 半导体集成电路工厂缺陷率， PPM； 半

导体集成电路现场工作小时数； 半导体集成电路现场失效率。

b) 确定失效率模型

半导体集成电路失效模型为：

λ P =π Q ×[C 1 ×π T ×π V ×π PT ＋(C 2 ＋C 3 ) ×π E ] ×π L (2-4-3)

式中： λ P ——工作失效率；

π Q ——质量系数；

π T ——温度应力系数；

π V ——电应力系数；

π E ——环境系数；

C 1 ， C 2 ——电路复杂度失效率；

C 3 ——封装复杂度失效率；

π L ——器材成熟系数；

π PT 可编程工艺系数， 除可编程序的只读存储器外， 其余为一。

可根据半导体集成电路的质量系数和有关技术， 确定π E 、 π Q 、 π T 、 π V 、 π PT 和C 1 ， 把它们和

已知的现场失效率数据一并代入式(2-4-3) ， 可求得C 1 ×π T ×π V ×π PT 和C 2 ＋C 3 的值， 并分别令其

为K 1 、 K 2 ， 式(2-4-3) 简化为：

λ P =π Q ×(K 1 ＋K 2 ×π E ) ×π L (2-4-4)

式中： K 1 =C 1 ×π T ×π V ×π TP

 K 2 =C 2 +C 3

c) 导出现场缺陷率计算公式

现场缺陷率等于现场失效率与现场工作时间的乘积除以元器件总数。 从基本信息可得到现场工

作时间和元器件总数 ， 再利用式(2-4-3) 求得的失效率数据, 就可导出缺陷率计算公式：

D PU =λ Ρ ×Τ ／ Ν (2-4-5)

式中： D PU ——现场缺陷率；

λ Ρ ——统计得到的工厂缺陷率；

Τ ——现场工作总时间；

Ν——统计的元器件总数。

令K3=T/N， 合并式(2-4-3) 、 (2-4-4) 、 (2-4-5) 得：

D PU =D Pf +D pu

=D pf +K 3 ×π Q ×(K 1 ＋K 2 ×π E ) ×π L (2-4-6)

式中： D PU ——要计算的缺陷率；

D pf ——统计得到的工厂缺陷率；

π Q ——质量系数；

π E ——环境系数；

π L ——器材成熟系数；

K 1 、 K 2 、 K 3 ——根据统计数据导出的常数。

d) 示例

已知： 进口集成电路的质量等级为C－1， 统计的集成电路数量N为624087个， 统计的工厂缺陷

率 D pf 为160PPM， 现场总工作时间T为8580× 10

6 h， 现场失效率为0. 025× 10 －6 /h； 求取： 该质量等

级集成电路的失效率计算公式和缺陷率计算公式。

步骤： 根据有关标准确定某些值为：

π Q =13. 0 C 1 =0. 0053 π T =0. 032 π V =1. 0

π PT =1. 0 π E =4. 0 π L =1. 0

代入式(2-4-3) ： λ P =π Q ×[C 1 ×π T ×π V ×π PT ＋(C 2 ＋C 3 ) ×π E ] ×π L 有：

0. 025=13. 0[(0. 0053×0. 032×1. 0×1. 0) +(C 2 +C 3 ) 4. 0] 1. 0

则： C 2 +C 3 =K 2 =0. 00044

C 1 ×π T ×π V ×π TP =K 1 =0. 00017

将上述数据代入式(2-4-4) 得到失效率计算公式：

λ P =π Q ×(0. 00017+0. 00044π E )

现场缺陷率计算公式为：

 D PU =λ Ρ ×Τ ／ Ν

=λ Ρ ×8580×10

6 /624087

=[π Q ×(0. 00017+0. 00044π E ) ] ×0. 0137481

=π Q ×(2. 3372+6. 0492π E ) ×10

-6

=π Q ×(2. 3372+6. 0492π E ) (PPM)

总缺陷率计算公式为：

D PU =D Pf +D pu

=160＋π Q ×(2. 3372+6. 0492π E ) (PPM)

用此公式可以推算其它质量等级和环境下元器件的缺陷率。