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高分子材料配方测试中心,断面扫描电镜分析
发布时间: 2023-07-11 06:08 更新时间: 2024-05-17 11:00
高分子材料配方测试中心,断面扫描电镜分析
背散射电子像(BEI)观察
背散射电子含有试样平均元素组成、表面几何形貌信息。使用半导体检测器可以观察样品表面的成分像,以及成分与形貌的混合象。背射电子象缺乏细节,远不如二次电子象清晰,但是能从背射电子象的衬度迅速得出一些元素的定性分布概念,对于进一步制定用特征x射线进行定量分析的方案是很有好处的。很多金相抛光试样,未腐蚀的光滑表面,看不到什么形貌信息,必须借助背散射电子像才能观察抛光面的元素及相分布,确定成分分析点,研究材料的内部组织和夹杂。导电性差的试样,形貌观察时,BEI优于SEI。背散射电子像观察对于合金研究、失效分析、材料中杂质检测非常有用。下图是合金的二次电子和背散射电子照片。
图4.23 合金的背散射电子照片 500X
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