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半导体器件热阻测试,电机加速老化试验

半导体器件热阻测试,电机加速老化试验

T3Ster 系统技术规格

1.加热功率:0-10A/150V(电流线性可调),满足大功率高压LED产品测试;

2.电流范围:0-10A,线性输出;

3.器件电压:0-150V;

4.电流准确度:0.05%;

5.K系数测试电流:0-200mA(电流线性可调),与外部控温装置联动,自动测试K系数;

6.电流范围:0-200mA,线性输出;

7.器件电压:0-150V;

8.电流准确度:0.05%;

9.Gate控制电压:0-10V(线性可调);

10.电压范围:0-10V;

11.电压准确度:0.05%;

12.加热状态到测试状态切换时间:1s;

13.具有循环脉冲输出功能:输出脉冲循环次数可设置一次到无数次;

14.温度测试方法:ETM测试法(器件导通电压作为温度敏感变量),兼容三大测试标准:JEDEC(JESD51-1,JESD51-14,JESD51-50,JESD51-51,JESD51-52),MIL-STD-750E,IEC60747;

15.瞬态热测试方法:提供两种测试方法:静态测试法(持续加热,热平衡后,冷却中连续测试);动态测试法(脉冲加热,单点测试);

16.电压信号采样速率:1us/次;

17.温度采样精度:0.0006度(电压分辨率12uV模式下);

18.瞬态热测试完成后,输出的热阻热容网络模型,可以被热仿真软件使用,进行仿真分析;


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