曲轴失效分析，镀铬的盐雾试验

7、对失效部位进行物理、化学分析，确定失效机理。

8、综合分析，确定失效原因，提出纠正措施。

1、收集现场数据：

应力类型

试验方法

可能出现的主要失效模式

电应力

静电、过电、噪声

MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应

热应力

高温储存

金属－半导体接触的Al－Si互溶，欧姆接触退化，pn结漏电、Au-Al键合失效

低温应力

低温储存

芯片断裂

低温电应力

低温工作

热载流子注入

高低温应力

高低温循环

芯片断裂、芯片粘接失效

热电应力

高温工作

金属电迁移、欧姆接触退化