合金电阻测试，塑胶反射率检测

其中q是电子电荷的值，μn和μp分别是电子和空穴的迁移率。在光的作用下产生的过剩电子和空穴被描述为Δn和Δp。

方程3

其中n0和p0是黑暗条件下电子和空穴的浓度。如果我们考虑到电子的迁移率远高于空穴，并且电子在光照下的浓度比在黑暗下高得多，那么光电导率可以描述为：

方程4

半导体材料在光照下的电子浓度是电子的产生速率和电子寿命的乘积。所以，光电导率是：

方程5

电子的生成速率可以表示为：