比热的测定方法，固体电导率测试方法

给芯片施加损耗P，要求芯片的结温稳态时达到140℃左右，铜基板底部设置对流换热，使得热量从铜基板底部散出来，忽略可能存在的对流换热以及辐射散热。芯片高温度点为Tj,铜基板上的芯片正下方的点选为Tc。进行瞬态热仿真，获取一组Tj与Tc，采用公式（1）,进行瞬态热阻的计算。

热阻仿真需要注意的几点：一是真正有源区面积的确定：硅片上制作有源器件的区域称为有源区，也就是有杂质注入的地方，包括 P 掺杂区和 n 掺杂区等，器件工作时载流子流过该区域产生焦耳热量；而其他部分是作为切割硅片保留的划片区或者隔离区，没有或者很少产生热量。因此，有源区是真正发热的部分。