pcba振动测试方法，半导体器件可靠性试验

在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。

CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，另1个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。简单的一个例子，碰到大电流测试项CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。

不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。

应该说WAT的测试项目和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）测的!% Q) `8

而CP的项目是从属于FT的（也就是说CP测的只会比FT少），项目是完全一样的；不同的是卡的SPEC而已；因为封装都会导致参数漂移，所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保终成品FT良率。还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die，在CP时通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款，这是解决相似电路节省光刻版的佳方案；所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才会盲封的。

据我所知盲封的DH很少很少，风险实在太大，不容易受控。

WAT:wafer level的管芯或结构测试- `" t

CP:wafer level的电路测试含功能.

FT:device level的电路测试含功能.

CP = chip probing.

FT= FInal Test., Y. A6 s

CP 一般是在测试晶圆，封装之前, 封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球，probing 后就没有FT.’ s4 E$ r1

FT 是在封装之后，也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application.

CP 用prober, probe card。FT 是handler, socket.’

CP 比较常见的是room temperature = 25度,FT 可能一般就是75或90度

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