d8反射率测试,树脂熔点测试
发布时间:2024-11-22
d8反射率测试,树脂熔点测试
利用FTIR光谱仪测量半导体材料的吸收系数
当具有两个共面电极的半导体被连续偏置电压偏振,并且暴露于具有图8所示的连续通量强度的单色光时,对于给定的深度x,光电流的产生可以描述为:
其中,E为电极之间施加的电场,l为电极的长度,σph为光导率,可以描述为:
其中q是电子电荷的值,μn和μp分别是电子和空穴的迁移率。在光的作用下产生的过剩电子和空穴被描述为Δn和Δp。
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