背散射电子像（BEI）观察

背散射电子含有试样平均元素组成、表面几何形貌信息。使用半导体检测器可以观察样品表面的成分像，以及成分与形貌的混合象。背射电子象缺乏细节,远不如二次电子象清晰，但是能从背射电子象的衬度迅速得出一些元素的定性分布概念，对于进一步制定用特征x射线进行定量分析的方案是很有好处的。很多金相抛光试样，未腐蚀的光滑表面，看不到什么形貌信息，必须借助背散射电子像才能观察抛光面的元素及相分布,确定成分分析点，研究材料的内部组织和夹杂。导电性差的试样,形貌观察时，BEI优于SEI。背散射电子像观察对于合金研究、失效分析、材料中杂质检测非常有用。下图是合金的二次电子和背散射电子照片。